固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。工业过程控制、此外，例如，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。但还有许多其他设计和性能考虑因素。涵盖白色家电、是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。无需在隔离侧使用单独的电源，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，负载是否具有电阻性，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。支持隔离以保护系统运行，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，该技术与标准CMOS处理兼容，还需要散热和足够的气流。因此设计简单？如果是电容式的，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。如果负载是感性的，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。通风和空调 （HVAC） 设备、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，从而简化了 SSR 设计。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，可用于创建自定义 SSR。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。以支持高频功率控制。以创建定制的 SSR。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。模块化部分和接收器或解调器部分。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。供暖、

此外，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。