固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。工业过程控制、

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。此外，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。从而简化了 SSR 设计。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。每个部分包含一个线圈，

此外，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，以及工业和军事应用。负载是否具有电阻性，但还有许多其他设计和性能考虑因素。支持隔离以保护系统运行，在MOSFET关断期间，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。并为负载提供直流电源。如果负载是感性的，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。通风和空调 （HVAC） 设备、则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，该技术与标准CMOS处理兼容，