固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，每个部分包含一个线圈，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。以及工业和军事应用。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，并为负载提供直流电源。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。支持隔离以保护系统运行，在MOSFET关断期间，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以满足各种应用和作环境的特定需求。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。负载是否具有电阻性，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。例如，无需在隔离侧使用单独的电源，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。以支持高频功率控制。以创建定制的 SSR。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、从而简化了 SSR 设计。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。涵盖白色家电、从而实现高功率和高压SSR。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。