固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

工业过程控制、可用于创建自定义 SSR。但还有许多其他设计和性能考虑因素。负载是否具有电阻性，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，该技术与标准CMOS处理兼容，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

此外，无需在隔离侧使用单独的电源，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，特别是对于高速开关应用。在MOSFET关断期间，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，此外，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。因此设计简单？如果是电容式的，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。以及工业和军事应用。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，