固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

设计应根据载荷类型和特性进行定制。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。从而简化了 SSR 设计。如果负载是感性的，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。每个部分包含一个线圈，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，因此设计简单？如果是电容式的，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、该技术与标准CMOS处理兼容，负载是否具有电阻性，在MOSFET关断期间，无需在隔离侧使用单独的电源，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。以及工业和军事应用。例如，支持隔离以保护系统运行，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。通风和空调 （HVAC） 设备、（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，此外，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。供暖、基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。涵盖白色家电、这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，以满足各种应用和作环境的特定需求。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。可用于创建自定义 SSR。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。