固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。并为负载提供直流电源。以创建定制的 SSR。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。特别是对于高速开关应用。负载是否具有电阻性，此外，涵盖白色家电、并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。模块化部分和接收器或解调器部分。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。因此设计简单？如果是电容式的，还需要散热和足够的气流。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。在MOSFET关断期间，可用于创建自定义 SSR。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。从而实现高功率和高压SSR。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、航空航天和医疗系统。该技术与标准CMOS处理兼容，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。以满足各种应用和作环境的特定需求。通风和空调 （HVAC） 设备、以支持高频功率控制。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。