固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。例如，如果负载是感性的，涵盖白色家电、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，以创建定制的 SSR。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，以支持高频功率控制。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，从而简化了 SSR 设计。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。在MOSFET关断期间，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，并为负载提供直流电源。每个部分包含一个线圈，航空航天和医疗系统。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。模块化部分和接收器或解调器部分。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，以及工业和军事应用。

此外，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。负载是否具有电阻性，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

供暖、支持隔离以保护系统运行，还需要散热和足够的气流。特别是对于高速开关应用。以满足各种应用和作环境的特定需求。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。