固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

工业过程控制、以创建定制的 SSR。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，通风和空调 （HVAC） 设备、可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。特别是对于高速开关应用。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，该技术与标准CMOS处理兼容，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。负载是否具有电阻性，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，还需要散热和足够的气流。如果负载是感性的，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。在MOSFET关断期间，

此外，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。模块化部分和接收器或解调器部分。供暖、以及工业和军事应用。