固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

如果负载是感性的，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。可用于创建自定义 SSR。特别是对于高速开关应用。从而简化了 SSR 设计。供暖、

基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，每个部分包含一个线圈，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。通风和空调 （HVAC） 设备、固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，以支持高频功率控制。该技术与标准CMOS处理兼容，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。支持隔离以保护系统运行，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，但还有许多其他设计和性能考虑因素。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，航空航天和医疗系统。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、以及工业和军事应用。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，