固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，每个部分包含一个线圈，以创建定制的 SSR。涵盖白色家电、（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，无需在隔离侧使用单独的电源，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，以支持高频功率控制。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。因此设计简单？如果是电容式的，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。并为负载提供直流电源。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。从而简化了 SSR 设计。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，特别是对于高速开关应用。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，工业过程控制、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。