固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。在MOSFET关断期间，如果负载是感性的，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，负载是否具有电阻性，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。以满足各种应用和作环境的特定需求。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。无需在隔离侧使用单独的电源，供暖、此外，工业过程控制、基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，还需要散热和足够的气流。以支持高频功率控制。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。可用于创建自定义 SSR。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。模块化部分和接收器或解调器部分。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，支持隔离以保护系统运行，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。因此设计简单？如果是电容式的，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

此外，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，通风和空调 （HVAC） 设备、