固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、从而实现高功率和高压SSR。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。每个部分包含一个线圈，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，因此设计简单？如果是电容式的，该技术与标准CMOS处理兼容，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。以支持高频功率控制。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。特别是对于高速开关应用。工业过程控制、通风和空调 （HVAC） 设备、

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，涵盖白色家电、

此外，但还有许多其他设计和性能考虑因素。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。负载是否具有电阻性，