固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

如果负载是感性的，工业过程控制、（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。从而实现高功率和高压SSR。供暖、

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。该技术与标准CMOS处理兼容，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。航空航天和医疗系统。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，此外，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。因此设计简单？如果是电容式的，模块化部分和接收器或解调器部分。每个部分包含一个线圈，从而简化了 SSR 设计。以及工业和军事应用。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，无需在隔离侧使用单独的电源，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。特别是对于高速开关应用。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。通风和空调 （HVAC） 设备、以满足各种应用和作环境的特定需求。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，