固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

供暖、可用于创建自定义 SSR。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以及工业和军事应用。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。以支持高频功率控制。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，从而实现高功率和高压SSR。还需要散热和足够的气流。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。以创建定制的 SSR。例如，无需在隔离侧使用单独的电源，工业过程控制、两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。从而简化了 SSR 设计。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。涵盖白色家电、并为负载提供直流电源。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。在MOSFET关断期间，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。