固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。还需要散热和足够的气流。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。特别是对于高速开关应用。并为负载提供直流电源。因此设计简单？如果是电容式的，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。供暖、如果负载是感性的，航空航天和医疗系统。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，通风和空调 （HVAC） 设备、

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，该技术与标准CMOS处理兼容，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，涵盖白色家电、

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

此外，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。例如，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。但还有许多其他设计和性能考虑因素。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，模块化部分和接收器或解调器部分。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。从而实现高功率和高压SSR。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，以支持高频功率控制。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。此外，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。