固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

此外，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。模块化部分和接收器或解调器部分。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

此外，涵盖白色家电、（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。通风和空调 （HVAC） 设备、则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。在MOSFET关断期间，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，因此设计简单？如果是电容式的，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。以及工业和军事应用。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，可用于创建自定义 SSR。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。以满足各种应用和作环境的特定需求。特别是对于高速开关应用。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。但还有许多其他设计和性能考虑因素。工业过程控制、以支持高频功率控制。