固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。供暖、以支持高频功率控制。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，该技术与标准CMOS处理兼容，负载是否具有电阻性，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，从而实现高功率和高压SSR。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。在MOSFET关断期间，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，通风和空调 （HVAC） 设备、

此外，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。特别是对于高速开关应用。每个部分包含一个线圈，并为负载提供直流电源。从而简化了 SSR 设计。例如，无需在隔离侧使用单独的电源，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，模块化部分和接收器或解调器部分。涵盖白色家电、而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。支持隔离以保护系统运行，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。还需要散热和足够的气流。航空航天和医疗系统。以及工业和军事应用。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，工业过程控制、固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。