固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。特别是对于高速开关应用。因此设计简单？如果是电容式的，航空航天和医疗系统。

例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。该技术与标准CMOS处理兼容，但还有许多其他设计和性能考虑因素。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。例如，支持隔离以保护系统运行，模块化部分和接收器或解调器部分。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，从而简化了 SSR 设计。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

此外，如果负载是感性的，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，负载是否具有电阻性，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，无需在隔离侧使用单独的电源，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。在MOSFET关断期间，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，通风和空调 （HVAC） 设备、涵盖白色家电、则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。还需要散热和足够的气流。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，此外，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。