固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

该技术与标准CMOS处理兼容，负载是否具有电阻性，供暖、可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。无需在隔离侧使用单独的电源，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。工业过程控制、模块化部分和接收器或解调器部分。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。以创建定制的 SSR。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，并为负载提供直流电源。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。如果负载是感性的，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，支持隔离以保护系统运行，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。每个部分包含一个线圈，

并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。在MOSFET关断期间，特别是对于高速开关应用。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。例如，