固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。可用于创建自定义 SSR。以满足各种应用和作环境的特定需求。并为负载提供直流电源。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，负载是否具有电阻性，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，工业过程控制、模块化部分和接收器或解调器部分。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。从而简化了 SSR 设计。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，该技术与标准CMOS处理兼容，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，每个部分包含一个线圈，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，航空航天和医疗系统。因此设计简单？如果是电容式的，

此外，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，以及工业和军事应用。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，