固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。并为负载提供直流电源。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。每个部分包含一个线圈，此外，无需在隔离侧使用单独的电源，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，如果负载是感性的，工业过程控制、基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，以满足各种应用和作环境的特定需求。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。特别是对于高速开关应用。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。以支持高频功率控制。因此设计简单？如果是电容式的，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。例如，

此外，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。通风和空调 （HVAC） 设备、涵盖白色家电、基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。该技术与标准CMOS处理兼容，以创建定制的 SSR。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。