固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以及工业和军事应用。

可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。此外，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，支持隔离以保护系统运行，因此设计简单？如果是电容式的，无需在隔离侧使用单独的电源，并为负载提供直流电源。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，通风和空调 （HVAC） 设备、而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，涵盖白色家电、磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，从而实现高功率和高压SSR。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。航空航天和医疗系统。供暖、这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。特别是对于高速开关应用。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。以满足各种应用和作环境的特定需求。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。还需要散热和足够的气流。负载是否具有电阻性，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，每个部分包含一个线圈，