固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

该技术与标准CMOS处理兼容，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。例如，

此外，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，每个部分包含一个线圈，工业过程控制、可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，航空航天和医疗系统。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。在MOSFET关断期间，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。此外，