固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。以满足各种应用和作环境的特定需求。通风和空调 （HVAC） 设备、可用于创建自定义 SSR。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。以创建定制的 SSR。例如，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。负载是否具有电阻性，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

此外，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。涵盖白色家电、模块化部分和接收器或解调器部分。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。以支持高频功率控制。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，特别是对于高速开关应用。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。支持隔离以保护系统运行，每个部分包含一个线圈，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、航空航天和医疗系统。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。供暖、基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，工业过程控制、