固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，无需在隔离侧使用单独的电源，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，供暖、以及工业和军事应用。

则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。以满足各种应用和作环境的特定需求。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。支持隔离以保护系统运行，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，模块化部分和接收器或解调器部分。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，可用于创建自定义 SSR。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，通风和空调 （HVAC） 设备、这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，并为负载提供直流电源。负载是否具有电阻性，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。从而简化了 SSR 设计。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。