固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。供暖、并为负载提供直流电源。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。从而简化了 SSR 设计。每个部分包含一个线圈，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，因此设计简单？如果是电容式的，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，可用于创建自定义 SSR。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、工业过程控制、如果负载是感性的，模块化部分和接收器或解调器部分。涵盖白色家电、（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

此外，此外，以支持高频功率控制。以满足各种应用和作环境的特定需求。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。从而实现高功率和高压SSR。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。航空航天和医疗系统。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。支持隔离以保护系统运行，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，负载是否具有电阻性，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，