固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

涵盖白色家电、还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，每个部分包含一个线圈，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以满足各种应用和作环境的特定需求。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。负载是否具有电阻性，以及工业和军事应用。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。如果负载是感性的，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。可用于创建自定义 SSR。以创建定制的 SSR。