固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。工业过程控制、基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。在MOSFET关断期间，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。支持隔离以保护系统运行，以满足各种应用和作环境的特定需求。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以创建定制的 SSR。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，并为负载提供直流电源。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，负载是否具有电阻性，可用于创建自定义 SSR。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。航空航天和医疗系统。以支持高频功率控制。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。模块化部分和接收器或解调器部分。从而简化了 SSR 设计。