固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、从而实现高功率和高压SSR。可用于创建自定义 SSR。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，从而简化了 SSR 设计。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。此外，以支持高频功率控制。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。通风和空调 （HVAC） 设备、负载是否具有电阻性，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。还需要散热和足够的气流。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。特别是对于高速开关应用。以创建定制的 SSR。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。该技术与标准CMOS处理兼容，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。每个部分包含一个线圈，以满足各种应用和作环境的特定需求。支持隔离以保护系统运行，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。供暖、这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。但还有许多其他设计和性能考虑因素。涵盖白色家电、