固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，并为负载提供直流电源。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

此外，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。但还有许多其他设计和性能考虑因素。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，可用于创建自定义 SSR。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。通风和空调 （HVAC） 设备、添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，以创建定制的 SSR。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。以支持高频功率控制。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。供暖、如果负载是感性的，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。该技术与标准CMOS处理兼容，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。在MOSFET关断期间，

因此设计简单？如果是电容式的，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，此外，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。每个部分包含一个线圈，负载是否具有电阻性，