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固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

还需要散热和足够的气流。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。</p>添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，</p><p>驱动 SiC MOSFET</p><p>SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，可用于创建自定义 SSR。</p><img src=图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以及工业和军事应用。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。例如，模块化部分和接收器或解调器部分。从而简化了 SSR 设计。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，此外，航空航天和医疗系统。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，但还有许多其他设计和性能考虑因素。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。</p><p>设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。工业过程控制、负载是否具有电阻性，</p><p>两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，</p> </div> <div class=
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