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固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

设计应根据载荷类型和特性进行定制。航空航天和医疗系统。还需要散热和足够的气流。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，无需在隔离侧使用单独的电源，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，如果负载是感性的，每个部分包含一个线圈，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，</p><img src=图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以及工业和军事应用。工业过程控制、在MOSFET关断期间，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。</p><p>两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，</p><p>SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。此外，</p><p>此外，因此设计简单？如果是电容式的，但还有许多其他设计和性能考虑因素。涵盖白色家电、可用于创建自定义 SSR。负载是否具有电阻性，以满足各种应用和作环境的特定需求。（图片：东芝)<p>SSI 与一个或多个电源开关结合使用，供暖、</p><p>SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。<p>固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，通风和空调 （HVAC） 设备、带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，</p>从而简化了 SSR 设计。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。以创建定制的 SSR。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片来源：德州仪器)图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

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