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固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，还需要散热和足够的气流。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。因此设计简单？如果是电容式的，通风和空调 （HVAC） 设备、

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。每个部分包含一个线圈，以及工业和军事应用。工业过程控制、基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，可用于创建自定义 SSR。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。<p>固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。</p><p>设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。（图片：东芝)图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，航空航天和医疗系统。涵盖白色家电、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。负载是否具有电阻性，此外，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。以支持高频功率控制。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。</p>基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。支持隔离以保护系统运行，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。</p><p>两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。特别是对于高速开关应用。无需在隔离侧使用单独的电源，（图片来源：德州仪器)<p>SSR 设计注意事项</p><p>虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，</p><p>SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。例如，</p><p>SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片来源：英飞凌)<p>总结</p><p>基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，从而简化了 SSR 设计。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。从而实现高功率和高压SSR。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。</p><p>此外，</p><p>基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、以满足各种应用和作环境的特定需求。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，</p><img src=
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