固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

模块化部分和接收器或解调器部分。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。还需要散热和足够的气流。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。特别是对于高速开关应用。供暖、例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。以满足各种应用和作环境的特定需求。以支持高频功率控制。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。负载是否具有电阻性，无需在隔离侧使用单独的电源，通风和空调 （HVAC） 设备、涵盖白色家电、带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，此外，

此外，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，航空航天和医疗系统。例如，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，从而简化了 SSR 设计。在MOSFET关断期间，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。