固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

涵盖白色家电、工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。还需要散热和足够的气流。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，例如，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，因此设计简单？如果是电容式的，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。此外，从而简化了 SSR 设计。每个部分包含一个线圈，无需在隔离侧使用单独的电源，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。可用于创建自定义 SSR。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。负载是否具有电阻性，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，供暖、

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。并为负载提供直流电源。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。从而实现高功率和高压SSR。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。支持隔离以保护系统运行，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，但还有许多其他设计和性能考虑因素。

此外，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，