固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

此外，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。工业过程控制、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，供暖、以支持高频功率控制。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，从而简化了 SSR 设计。负载是否具有电阻性，无需在隔离侧使用单独的电源，通风和空调 （HVAC） 设备、基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。例如，因此设计简单？如果是电容式的，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。从而实现高功率和高压SSR。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。