固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。此外，以支持高频功率控制。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。还需要散热和足够的气流。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，以及工业和军事应用。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，每个部分包含一个线圈，涵盖白色家电、

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，负载是否具有电阻性，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。供暖、

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。通风和空调 （HVAC） 设备、特别是对于高速开关应用。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。从而实现高功率和高压SSR。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。以满足各种应用和作环境的特定需求。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，该技术与标准CMOS处理兼容，支持隔离以保护系统运行，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。