固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

以创建定制的 SSR。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，并为负载提供直流电源。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。每个部分包含一个线圈，此外，还需要散热和足够的气流。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，无需在隔离侧使用单独的电源，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

该技术与标准CMOS处理兼容，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，可用于创建自定义 SSR。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。涵盖白色家电、工业过程控制、添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，因此设计简单？如果是电容式的，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，例如，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，如果负载是感性的，