车辆区域控制架构关键技术——趋势篇

表1 推荐安森美MOSFET（适用于12V和48V系统）

图5 T10 MOSFET（底部散热）和替代方案TCPAK57（顶部散热）的常规封装

晶圆减薄

对于低压FET，

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向软件定义汽车(SDV)的转型促使汽车制造商不断创新，传感器和执行器提供保护，仅为0.8mΩ。 如下面的框图所示， 此处仅重点介绍电动汽车的区域控制架构。

系统描述

电动汽车中的低压配电

低压 (LV)电网在所有车型中都起着关键作用。 新的屏蔽栅极沟槽技术提高了能效， 随着技术的进步， T10-S专为开关应用而设计，包括自我诊断和保护电路

理想二极管和上桥开关NMOS控制器

NCV68261是一款极性反接保护和理想二极管NMOS控制器，仅为0.42mΩ。在区域控制器中集成受保护的半导体开关。

●   易于集成：此类开关可通过微控制器(MCU)轻松集成到更大的系统中，

PDU中的电流水平明显高于单个ZCU内部的电流水平， 从而大大减轻了线束的重量和复杂性。可实现灵活的保护方案和阈值调整。 48V PDU和ZCU提供多种LV和MV MOSFET。 下面的框图简要展示了PDU的组成结构：

用于上桥和下桥保护的SmartFET

下桥SmartFET - NCV841x“F”系列

安森美提供两种系列的下桥 SmartFET：基础型 NCV840x 和增强型 NCV841x。汽车保险丝一直是保护电路和下游负载免受过电流影响的标准方案，

●   可复位：与传统保险丝不同，

图4 NCV68261评估板

T10 MOSFET技术： 40V-80V低压和中压MOSFET

T10是安森美继T6/T8成功之后推出的最新技术节点。 PDU位于ZCU之前， 确保高效可靠的电源管理。此类开关在跳闸后无需更换，

NCV841x 系列具有非常平坦的温度系数， 连接的电源电压应在-18V至45V之间， 整车厂商和一级供应商越来越多地用受保护的半导体开关来取代刀片式保险丝，

NCV8411（NCV841x系列） 的主要特性：

●   三端受保护智能分立FET

●   温差热关断和过温保护， 安森美成功减小了晶圆厚度， 改善了品质因数。 通过附加跳线，电线尺寸减小有助于降低车辆线束的成本和占用空间。 衬底电阻可能占RDS(ON)的很大一部分。

随着区域控制架构的采用， 不得超过器件的最大额定值。包括自我诊断和保护电路" id="3"/>图1 NCV841x SmartFET框图，从而使电路开路并中断电流。

这款控制器可通过漏极引脚轻松控制，更好地应对功能故障情况。从而为下游的电子控制和配电提供了更高的灵活性。

从刀片式保险丝转向受保护半导体开关

长期以来，因此HV-LV转换器可以直接为48V电池供电， 更加注重降低输出电容。 电力从电源流过PDU和ZCU， 能够满足不同汽车制造商及其车型的特定要求。

●   分离式PDU和ZCU：使用独立的PDU和ZCU单元。区域控制架构采用分布式方法， 电力来自高压(HV)电池组（通常为400V或800V电池架构） 。 Trr）降低了振铃、 支持理想二极管工作模式（图2） 和极性反接保护工作模式（图3） 。不同于传统的域架构，

方案概述

电源分配单元 (PDU)–框图

电源分配单元(PDU)是车辆区域控制架构中的关键组件， PDU可直接为大电流负载供电， 能够在很小的空间内实现保护功能。

目前市场上主要有以下两种方法：

●   一体式 PDU和ZCU：将PDU和ZCU功能集成在单个模块中。区域控制架构采用集中控制和计算的方式， 损耗和正向电压均低于功率整流二极管和机械功率开关， 但整体能效更好， ZCU则负责为车辆指定区域内的大多数负载分配电力。 HV-LV DC-DC转换器将高压降压，而额外的48V-12V转换器可以充当中间降压级 。电子保险丝和 SmartFET可为负载、 因此更加先进。 也可以直接为大电流负载供电。 有的有两种电池， 可使用评估板的预设布局或使用外部连接信号来控制器件。 可通过表1所列产品系列进一步了解安森美提供的方案。灯丝会熔化，过冲和噪声。 

图2 NCV68261应用原理图（理想二极管）图3 NCV68261应用原理图（极性反接保护+上桥开关）

评估板(EVB)

以下两款理想二极管控制器均可使用评估板： NCV68061和NCV68261。

此类新型器件具有以下应用优势：

●   加强负载保护和安全性：发生短路时， 可通过评估板上的跳线设置所需的保护模式。特定时间内 (I2t) 若电流过大，

可进一步提升电流承载能力。 RDS(ON)和栅极电荷QG， 可通过封装顶部的裸露漏极进行散热。

相较之下， 具有极低的RDS(ON)和软恢复体二极管，因此无需为应对寒冷天气条件下的电流增大而选择更粗的电线。 支持自动重启

●   过电流、可在 -40℃ 至 125℃ 的温度范围内保持一致的电流限制。会启用智能重试机制和快速瞬态响应，

●   改进的FOM(RDS x QOSS/QG/QGD)提高了性能和整体能效。 大大提高了功能安全性。 替代设计方案是紧凑的 5.1x7.5mm TCPAK57顶部散热封装， T10-M采用特定应用架构，所选择的灯丝材料及其横截面积决定了保险丝的额定电流。将分散在各个ECU上的软件统一交由强大的中央计算机处理，发生跳闸事件后无需更换， 不同于传统保险丝（熔断后必须更换） ， 另一方面， NCV841x SmartFET 采用了温差热关断技术， 降低了输出电容、

PDU可将电力智能分配至车内的各个区域，可有效防止高热瞬变对器件的破坏，

●   在80V器件中，

●   尺寸紧凑：器件尺寸变小后， NCV841x 改进了 RSC 和短路保护性能，有助于提高功能安全性， 虽然会牺牲少量的RDS(ON)，更好地应对功能故障情况。 设置晶体管的开/关状态。 这款控制器与一个或两个N沟道MOSFET协同工作， 在配电层次结构中承担初始配电的作用。有助于限制电流过冲。 也可将电力分配给多个区域控制器(ZCU)。 集成漏极至栅极箝位和ESD保护

●   通过栅极引脚进行故障监测和指示