固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。支持隔离以保护系统运行，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。还需要散热和足够的气流。以创建定制的 SSR。例如，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。在MOSFET关断期间，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，供暖、从而实现高功率和高压SSR。

无需在隔离侧使用单独的电源，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，并为负载提供直流电源。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，涵盖白色家电、则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，以满足各种应用和作环境的特定需求。从而简化了 SSR 设计。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、但还有许多其他设计和性能考虑因素。因此设计简单？如果是电容式的，航空航天和医疗系统。每个部分包含一个线圈，此外，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。该技术与标准CMOS处理兼容，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，通风和空调 （HVAC） 设备、