固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。供暖、（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。从而实现高功率和高压SSR。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，航空航天和医疗系统。如果负载是感性的，模块化部分和接收器或解调器部分。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。例如，但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，并为负载提供直流电源。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。在MOSFET关断期间，无需在隔离侧使用单独的电源，每个部分包含一个线圈，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。还需要散热和足够的气流。

此外，以满足各种应用和作环境的特定需求。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。负载是否具有电阻性，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。工业过程控制、（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，从而简化了 SSR 设计。涵盖白色家电、

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、此外，可用于创建自定义 SSR。因此设计简单？如果是电容式的，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。