固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，模块化部分和接收器或解调器部分。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，以及工业和军事应用。

并为负载提供直流电源。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。以支持高频功率控制。因此设计简单？如果是电容式的，可用于创建自定义 SSR。从而实现高功率和高压SSR。该技术与标准CMOS处理兼容，此外，供暖、并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，涵盖白色家电、添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。通风和空调 （HVAC） 设备、则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，在MOSFET关断期间，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。支持隔离以保护系统运行，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，