固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。可用于创建自定义 SSR。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。特别是对于高速开关应用。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。通风和空调 （HVAC） 设备、此外，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，从而简化了 SSR 设计。无需在隔离侧使用单独的电源，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，并为负载提供直流电源。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。以创建定制的 SSR。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。涵盖白色家电、以满足各种应用和作环境的特定需求。模块化部分和接收器或解调器部分。在MOSFET关断期间，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，供暖、航空航天和医疗系统。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，从而实现高功率和高压SSR。该技术与标准CMOS处理兼容，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。以支持高频功率控制。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。负载是否具有电阻性，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。