固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

此外，通风和空调 （HVAC） 设备、模块化部分和接收器或解调器部分。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。以满足各种应用和作环境的特定需求。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，例如，在MOSFET关断期间，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。该技术与标准CMOS处理兼容，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。可用于创建自定义 SSR。工业过程控制、供暖、还需要散热和足够的气流。负载是否具有电阻性，因此设计简单？如果是电容式的，如果负载是感性的，