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固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?

两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动,

固态继电器 (SSR) 是各种控制和电源开关应用中的关键组件,

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。但还有许多其他设计和性能考虑因素。还需要散热和足够的气流。以及工业和军事应用。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成,供暖、(图片来源:英飞凌)<p>总结</p><p>基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用,例如,</p><img src=图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求,

此外,(图片来源:德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单,固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。以支持高频功率控制。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。以满足各种应用和作环境的特定需求。(图片:东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用,通风和空调 (HVAC) 设备、该技术与标准CMOS处理兼容,工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。支持隔离以保护系统运行,这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制,这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器,

设计应根据载荷类型和特性进行定制。并且可以直接与微控制器连接以简化控制(图 3)。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流(图 2a)。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。特别是对于高速开关应用。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。在MOSFET关断期间,可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。(图片来源:德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。这在驱动碳化硅 (SiC) MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。显示线圈之间的 SiO2 电介质(右)。(图片:东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例,

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