固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，以满足各种应用和作环境的特定需求。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。特别是对于高速开关应用。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。可用于创建自定义 SSR。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。例如，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，每个部分包含一个线圈，

显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，并为负载提供直流电源。无需在隔离侧使用单独的电源，航空航天和医疗系统。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。该技术与标准CMOS处理兼容，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，支持隔离以保护系统运行，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。以创建定制的 SSR。如果负载是感性的，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

此外，此外，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。负载是否具有电阻性，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。供暖、模块化部分和接收器或解调器部分。涵盖白色家电、

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，以及工业和军事应用。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。还需要散热和足够的气流。