固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。工业过程控制、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。以支持高频功率控制。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。供暖、这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，以及工业和军事应用。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，无需在隔离侧使用单独的电源，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，例如，模块化部分和接收器或解调器部分。航空航天和医疗系统。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。从而简化了 SSR 设计。还需要散热和足够的气流。支持隔离以保护系统运行，每个部分包含一个线圈，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，但还有许多其他设计和性能考虑因素。并为负载提供直流电源。此外，通风和空调 （HVAC） 设备、（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，