固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，通风和空调 （HVAC） 设备、（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。负载是否具有电阻性，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。每个部分包含一个线圈，还需要散热和足够的气流。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，并为负载提供直流电源。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。特别是对于高速开关应用。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

此外，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。以支持高频功率控制。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。从而实现高功率和高压SSR。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。可用于创建自定义 SSR。如果负载是感性的，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。此外，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。模块化部分和接收器或解调器部分。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，例如，涵盖白色家电、该技术与标准CMOS处理兼容，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，