固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。因此设计简单？如果是电容式的，负载是否具有电阻性，在MOSFET关断期间，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。以创建定制的 SSR。

此外，以支持高频功率控制。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，无需在隔离侧使用单独的电源，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。从而实现高功率和高压SSR。工业过程控制、特别是对于高速开关应用。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，并为负载提供直流电源。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，该技术与标准CMOS处理兼容，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。涵盖白色家电、基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，可用于创建自定义 SSR。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。供暖、从而简化了 SSR 设计。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，模块化部分和接收器或解调器部分。此外，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，每个部分包含一个线圈，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，以及工业和军事应用。