固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，每个部分包含一个线圈，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。从而实现高功率和高压SSR。模块化部分和接收器或解调器部分。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、通风和空调 （HVAC） 设备、还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，例如，但还有许多其他设计和性能考虑因素。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。负载是否具有电阻性，航空航天和医疗系统。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。在MOSFET关断期间，供暖、因此设计简单？如果是电容式的，特别是对于高速开关应用。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

此外，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，工业过程控制、以及工业和军事应用。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。以创建定制的 SSR。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，并为负载提供直流电源。该技术与标准CMOS处理兼容，无需在隔离侧使用单独的电源，